中芯国际概述N+1节点投产计划 较14nm工艺更具成本优势

2020年03月24日 10:28 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

去年,中芯国际表示将在四季度开启基于 14nm FinFET 制程的量产芯片。同时,该公司也在努力开发下一代主要节点(N+1),宣称具有可媲美 7nm 工艺的部分特性。与中芯国际自家的 14nm 制程相比,N+1 可在性能提升 20% 的同时降低 57% 的功耗、并将逻辑面积减少了 63% 。

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资料图(来自:SMIC)

但实际上,中芯国际表示 N+1 并不等同于 7nm 技术。尽管新工艺可让 SoC 变得更小、更节能,但 N+1 带来的性能提升,仍无法与 7nm 竞品做到旗鼓相当。

有鉴于此,中芯国际将 N+1 定位于更具成本吸引力的芯片制造技术。该公司发言人称:“N+1 的目标是低成本应用,与 7nm 相比,其优势在 10% 左右”。

此外,中芯国际的 N+1 工艺并未使用极紫外光刻(EUVL),因此该晶圆厂无需从 ASML 购买其它昂贵的设备。

这并不说明该公司没有考虑过 EUV,其确有获得 EUV 步进扫描系统,但有报道称因美方施压而尚未安装,导致中芯国际只得等到 N+2 工艺时采用上 EUV 。

如果一切顺利,中芯国际有望在 2020 年 4 季度开始 N+1 制程的风险试产,并于 2021 或 2022 年转入大批量生产。

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